JCS4N60RB دیتاشیت

JCS4N60RB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت JCS4N60RB
حجم فایل 89.225 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

دانلود دیتاشیت JCS4N60RB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Jilin Sino-Microelectronics JCS4N60RB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 165.56W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 702pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.69pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Jilin Sino-Microelectronics